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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > SQ7414AEN-T1_GE3
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6303065SQ7414AEN-T1_GE3-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

SQ7414AEN-T1_GE3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SQ7414AEN-T1_GE3
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK 1212-8
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    SQ7414AEN-T1_GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PowerPAK® 1212-8
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    26 mOhm @ 5.7A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    62W (Tc)
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    PowerPAK® 1212-8
  • Andere Namen
    SQ7414AEN-T1_GE3CT
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    980pF @ 30V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    24nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    60V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 60V 16A (Tc) 62W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    16A (Tc)

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Das Folgende sind "SQ7414AEN-T1_GE3" -Einziper.
RJL5014DPK-00#T0

RJL5014DPK-00#T0

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 19A TO3P

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
IPN70R750P7SATMA1

IPN70R750P7SATMA1

Beschreibung: COOLMOS P7 700V SOT-223

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
APT39F60J

APT39F60J

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
SQ7414AENW-T1_GE3

SQ7414AENW-T1_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 18A POWERPAK1212

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SUM55P06-19L-E3

SUM55P06-19L-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 55A D2PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
DMN2046U-7

DMN2046U-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
SQJ840EP-T1_GE3

SQJ840EP-T1_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SQ7415AEN-T1_GE3

SQ7415AEN-T1_GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 16A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RCX220N25

RCX220N25

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 22A TO220

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
IXFT120N25X3HV

IXFT120N25X3HV

Beschreibung: 250V/120A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
SQ7002K-T1-GE3

SQ7002K-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
IXTM24N50L

IXTM24N50L

Beschreibung: POWER MOSFET TO-3

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
AO4448

AO4448

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 10A 8SOIC

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
NTNS3A67PZT5G

NTNS3A67PZT5G

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V SOT883

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NX7002AK,215

NX7002AK,215

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V TO-236AB

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
SQ7415AENW-T1_GE3

SQ7415AENW-T1_GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 16A POWERPAK1212

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
IPD60R1K0CEAUMA1

IPD60R1K0CEAUMA1

Beschreibung: CONSUMER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
FDPF55N06

FDPF55N06

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 55A TO-220F

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NVMFS5C468NLWFT3G

NVMFS5C468NLWFT3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V SO8FL

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
ZVP0545GTA

ZVP0545GTA

Beschreibung: MOSFET P-CH 450V 0.075A SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
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