SQ7414AENW-T1_GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SQ7414AENW-T1_GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 18A POWERPAK1212
Bleifreier Status / RoHS Status
Datenblätte

SQ7414AENW-T1_GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerPAK® 1212-8
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

23 mOhm @ 8.7A, 10V
Verlustleistung (max)

62W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

PowerPAK® 1212-8
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1590pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 60V 18A (Tc) 62W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

18A (Tc)

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

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Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 10A PQFN

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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SQ7414AEN-T1_GE3

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Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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SQ7415AEN-T1_GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 16A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Beschreibung: -60V7.7MOHMSINGLE

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Hersteller: IXYS Corporation

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Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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Beschreibung: MOSFET N-CH TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

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SQ7415AENW-T1_GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 16A POWERPAK1212

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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