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SQJ401EP-T1_GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SQJ401EP-T1_GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 12V 32A POWERPAKSO-8
Bleifreier Status / RoHS Status
Datenblätte

SQJ401EP-T1_GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerPAK® SO-8
Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

6 mOhm @ 15A, 4.5V
Verlustleistung (max)

83W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

PowerPAK® SO-8
Andere Namen

SQJ401EP-T1_GE3CT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

10015pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

164nC @ 4.5V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

12V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 12V 32A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

32A (Tc)

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Das Folgende sind "SQJ401EP-T1_GE3" -Einziper.

SQJ204EP-T1_GE3

Beschreibung: MOSFET DUAL N-CH 12V PPAK SO-8L

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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SQJ401EP-T1_GE3

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