Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > SQJQ404E-T1_GE3
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
1077185SQJQ404E-T1_GE3-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

SQJQ404E-T1_GE3

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
1+
$3.06
10+
$2.766
100+
$2.223
500+
$1.729
1000+
$1.432
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    SQJQ404E-T1_GE3
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CHAN 40V
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PowerPAK® 8 x 8
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.72 mOhm @ 20A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    150W (Tc)
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-PowerTDFN
  • Andere Namen
    SQJQ404E-T1_GE3CT
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    16480pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    270nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    40V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 40V 200A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    200A (Tc)
SQJQ100EL-T1_GE3

SQJQ100EL-T1_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQJQ466E-T1_GE3

SQJQ466E-T1_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 200A POWERPAK8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQJB42EP-T1_GE3

SQJB42EP-T1_GE3

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQJQ960EL-T1_GE3

SQJQ960EL-T1_GE3

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK8X8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQJQ900E-T1_GE3

SQJQ900E-T1_GE3

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQJQ906E-T1_GE3

SQJQ906E-T1_GE3

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQJQ100E-T1_GE3

SQJQ100E-T1_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQJQ480E-T1_GE3

SQJQ480E-T1_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 80V POWERPAK 8X8L

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQJB80EP-T1_GE3

SQJB80EP-T1_GE3

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQJQ906EL-T1_GE3

SQJQ906EL-T1_GE3

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQJB60EP-T1_GE3

SQJB60EP-T1_GE3

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQJQ402E-T1_GE3

SQJQ402E-T1_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQJQ980EL-T1_GE3

SQJQ980EL-T1_GE3

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK8X8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQJB70EP-T1_GE3

SQJB70EP-T1_GE3

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQJB40EP-T1_GE3

SQJB40EP-T1_GE3

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQJQ904E-T1_GE3

SQJQ904E-T1_GE3

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQJB68EP-T1_GE3

SQJB68EP-T1_GE3

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQJQ410EL-T1_GE3

SQJQ410EL-T1_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQJQ910EL-T1_GE3

SQJQ910EL-T1_GE3

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK8X8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQJB90EP-T1_GE3

SQJB90EP-T1_GE3

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden