SQJB68EP-T1_GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SQJB68EP-T1_GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SQJB68EP-T1_GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

PowerPAK® SO-8 Dual
Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

92 mOhm @ 4A, 10V
Leistung - max

27W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerTDFN
Andere Namen

SQJB68EP-T1_GE3TR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

280pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 10V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 11A (Tc) 27W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

11A (Tc)

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Das Folgende sind "SQJB68EP-T1_GE3" -Einziper.

SQJQ100EL-T1_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SQJB68EP-T1_GE3

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