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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > SQM110P06-8M9L_GE3
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1377951SQM110P06-8M9L_GE3-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

SQM110P06-8M9L_GE3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SQM110P06-8M9L_GE3
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET P-CH 60V 110A TO263
  • Bleifreier Status / RoHS Status
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-263 (D²Pak)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8.9 mOhm @ 30A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    230W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    7450pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    200nC @ 10V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    60V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 60V 110A (Tc) 230W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    110A (Tc)
SQM110P04-04L-GE3

SQM110P04-04L-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 120A TO263

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQM10SJB-82R

SQM10SJB-82R

Beschreibung: RES WW 10W 5% TH

Hersteller: Yageo
vorrätig
SQM120N04-1M9_GE3

SQM120N04-1M9_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 120A TO263

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQM10SJB-9K1

SQM10SJB-9K1

Beschreibung: RES WW 10W 5% TH

Hersteller: Yageo
vorrätig
SQM10SJB-91R

SQM10SJB-91R

Beschreibung: RES WW 10W 5% TH

Hersteller: Yageo
vorrätig
SQM120N04-1M7L_GE3

SQM120N04-1M7L_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 120A TO263

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQM120N04-1M7_GE3

SQM120N04-1M7_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 120A TO263

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQM120N04-1M4L_GE3

SQM120N04-1M4L_GE3

Beschreibung: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQM120N10-3M8_GE3

SQM120N10-3M8_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 120A TO263

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQM120N02-1M3L_GE3

SQM120N02-1M3L_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 120A TO263

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQM120N03-1M5L_GE3

SQM120N03-1M5L_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 120A TO-263

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQM10SJB-9R1

SQM10SJB-9R1

Beschreibung: RES WW 10W 5% TH

Hersteller: Yageo
vorrätig
SQM110N05-06L_GE3

SQM110N05-06L_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 110A TO263

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQM120N06-3M5L_GE3

SQM120N06-3M5L_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 120A TO-220

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQM10SJB-8R2

SQM10SJB-8R2

Beschreibung: RES WW 10W 5% TH

Hersteller: Yageo
vorrätig
SQM10SJB-910R

SQM10SJB-910R

Beschreibung: RES WW 10W 5% TH

Hersteller: Yageo
vorrätig
SQM120N06-06_GE3

SQM120N06-06_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 120A TO263

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQM10SJB-8K2

SQM10SJB-8K2

Beschreibung: RES WW 10W 5% TH

Hersteller: Yageo
vorrätig
SQM120N10-09_GE3

SQM120N10-09_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 120A TO263

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQM10SJB-91K

SQM10SJB-91K

Beschreibung: RES WW 10W 5% TH

Hersteller: Yageo
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