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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > SQM120N04-1M9_GE3
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228916SQM120N04-1M9_GE3-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

SQM120N04-1M9_GE3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SQM120N04-1M9_GE3
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 40V 120A TO263
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-263 (D2Pak)
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.9 mOhm @ 30A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    300W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Andere Namen
    SQM120N04-1M9-GE3
    SQM120N04-1M9-GE3-ND
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    8790pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    270nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    40V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 40V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2Pak)
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    120A (Tc)
SQM10SJB-9K1

SQM10SJB-9K1

Beschreibung: RES WW 10W 5% TH

Hersteller: Yageo
vorrätig
SQM110P06-8M9L_GE3

SQM110P06-8M9L_GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 110A TO263

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQM120N04-1M7L_GE3

SQM120N04-1M7L_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 120A TO263

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQM120N04-1M7_GE3

SQM120N04-1M7_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 120A TO263

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQM120N10-3M8_GE3

SQM120N10-3M8_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 120A TO263

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQM120N10-09_GE3

SQM120N10-09_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 120A TO263

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQM120N06-3M5L_GE3

SQM120N06-3M5L_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 120A TO-220

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQM120N02-1M3L_GE3

SQM120N02-1M3L_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 120A TO263

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQM120N04-1M4L_GE3

SQM120N04-1M4L_GE3

Beschreibung: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQM200JB-0R11

SQM200JB-0R11

Beschreibung: RES WW 2W 5% TH

Hersteller: Yageo
vorrätig
SQM120P10_10M1LGE3

SQM120P10_10M1LGE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 120A TO263

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQM110N05-06L_GE3

SQM110N05-06L_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 110A TO263

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQM10SJB-9R1

SQM10SJB-9R1

Beschreibung: RES WW 10W 5% TH

Hersteller: Yageo
vorrätig
SQM120N06-06_GE3

SQM120N06-06_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 120A TO263

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQM120N03-1M5L_GE3

SQM120N03-1M5L_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 120A TO-263

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQM200JB-0R1

SQM200JB-0R1

Beschreibung: RES WW 2W 5% TH

Hersteller: Yageo
vorrätig
SQM200JB-0R12

SQM200JB-0R12

Beschreibung: RES WW 2W 5% TH

Hersteller: Yageo
vorrätig
SQM120P04-04L_GE3

SQM120P04-04L_GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 120A TO-263

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQM110P04-04L-GE3

SQM110P04-04L-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 120A TO263

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQM120P06-07L_GE3

SQM120P06-07L_GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 120A TO263

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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