SQM60N06-15_GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SQM60N06-15_GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 56A TO263
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SQM60N06-15_GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-263 (D2Pak)
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

15 mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (max)

107W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen

SQM60N06-15-GE3
SQM60N06-15-GE3-ND
SQM60N06-15_GE3-ND
SQM60N06-15_GE3TR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2480pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 60V 56A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2Pak)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

56A (Tc)

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Das Folgende sind "SQM60N06-15_GE3" -Einziper.

SQM700JB-0R2

Beschreibung: RES WW 7W 5% TH

Hersteller: Yageo

vorrätig

SQM60N06-15_GE3

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