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SQV120N10-3M8_GE3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SQV120N10-3M8_GE3
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 100V 120A TO262-3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
  • Datenblätte
    SQV120N10-3M8_GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-262-3
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.8 mOhm @ 20A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    250W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    7230pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    190nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    100V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 100V 120A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-262-3
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    120A (Tc)

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AOB4184

AOB4184

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 12A TO263

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
SPB80N03S2L-06

SPB80N03S2L-06

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPC90R120C3X1SA1

IPC90R120C3X1SA1

Beschreibung: MOSFET N-CH BARE DIE

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPI200N25N3GAKSA1

IPI200N25N3GAKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 64A TO262-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IRFB4212PBF

IRFB4212PBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 18A TO-220AB

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
FQA62N25C

FQA62N25C

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 62A TO-3P

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
T-FD28N50Q-72

T-FD28N50Q-72

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IRF730AL

IRF730AL

Beschreibung: MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-262

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI7848DP-T1-E3

SI7848DP-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 10.4A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SQV120N06-4M7L_GE3

SQV120N06-4M7L_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4890BDY-T1-E3

SI4890BDY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
DMN7022LFGQ-13

DMN7022LFGQ-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 23A POWERDI3333

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
BUK9107-40ATC,118

BUK9107-40ATC,118

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
NTMFS10N7D2C

NTMFS10N7D2C

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 78A 8PQFN

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
SIR158DP-T1-GE3

SIR158DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
PMR370XN,115

PMR370XN,115

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 0.84A SOT416

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
RFQ
IRF7706

IRF7706

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BUK7215-55A,118

BUK7215-55A,118

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 55A DPAK

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
IRFR5505TRL

IRFR5505TRL

Beschreibung: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
MIC94031BM4 TR

MIC94031BM4 TR

Beschreibung: MOSFET P-CH 16V 1A SOT-143

Hersteller: Micrel / Microchip Technology
vorrätig
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