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DMN7022LFGQ-13

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DMN7022LFGQ-13
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 75V 23A POWERDI3333
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PowerDI3333-8
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    22 mOhm @ 7.2A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    2W (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-PowerVDFN
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    32 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    2737pF @ 35V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    56.5nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    75V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 75V 23A (Tc) 2W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    23A (Tc)
DMN67D8LW-7

DMN67D8LW-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V SOT323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN7022LFG-13

DMN7022LFG-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 7.8A PWDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN67D7L-13

DMN67D7L-13

Beschreibung: MOSFETN-CHAN 60V SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN90H2D2HCTI

DMN90H2D2HCTI

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 6A ITO220AB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN7022LFGQ-7

DMN7022LFGQ-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 23A POWERDI3333

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN67D7L-7

DMN67D7L-7

Beschreibung: MOSFETN-CHAN 60V SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN95H2D2HCTI

DMN95H2D2HCTI

Beschreibung: MOSFET N-CH 950V 6A ITO220AB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN90H8D5HCT

DMN90H8D5HCT

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220AB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN67D8L-7

DMN67D8L-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN7022LFG-7

DMN7022LFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 7.8A PWDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN90H8D5HCTI

DMN90H8D5HCTI

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 2.5A ITO220AB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN95H8D5HCTI

DMN95H8D5HCTI

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 950V ITO220AB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN95H8D5HCT

DMN95H8D5HCT

Beschreibung: MOSFET N-CH 950V 2.5A TO220AB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN67D8LDW-7

DMN67D8LDW-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN67D8LW-13

DMN67D8LW-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V SOT323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMNF1-285-C

DMNF1-285-C

Beschreibung: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110

Hersteller: Panduit
vorrätig
DMN67D8LDW-13

DMN67D8LDW-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN67D8L-13

DMN67D8L-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN80H2D0SCTI

DMN80H2D0SCTI

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 7A ITO220AB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMNF1-285FIB-3K

DMNF1-285FIB-3K

Beschreibung: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110

Hersteller: Panduit
vorrätig

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