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Halle C5 Stand 220

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6808459SUA70060E-E3-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

SUA70060E-E3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SUA70060E-E3
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 100V 56.6A TO220
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-220 Full Pack
  • Serie
    ThunderFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6.1 mOhm @ 30A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    39W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-3 Full Pack
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    3300pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    81nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    7.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    100V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 100V 56.6A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    56.6A (Tc)
IXTH72N20

IXTH72N20

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 72A TO-247

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
SI2308BDS-T1-E3

SI2308BDS-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
IXFQ14N80P

IXFQ14N80P

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 14A TO-3P

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IPB100N06S205ATMA4

IPB100N06S205ATMA4

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IXFH6N120P

IXFH6N120P

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
SUA70090E-E3

SUA70090E-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 42.8A TO220 FPK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
IXTY1R4N120P

IXTY1R4N120P

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-252

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
AOT2916L

AOT2916L

Beschreibung: MOSFET N CH 100V 5A TO220

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
LSIC1MO120E0120

LSIC1MO120E0120

Beschreibung: SIC MOSFET 1200V 27A TO247-3

Hersteller: Hamlin / Littelfuse
vorrätig
BUK954R4-80E,127

BUK954R4-80E,127

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
NTTFS4C58NTAG

NTTFS4C58NTAG

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 48A U8FL

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
IRFP27N60K

IRFP27N60K

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 27A TO-247AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
IRLR024NPBF

IRLR024NPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPC028N03L3X1SA1

IPC028N03L3X1SA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 2A SAWN ON FOIL

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
SI1073X-T1-E3

SI1073X-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
IPB180N04S4H0ATMA1

IPB180N04S4H0ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IRF6623TR1PBF

IRF6623TR1PBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
HUFA75344P3_F085

HUFA75344P3_F085

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
TSM120N06LCR RLG

TSM120N06LCR RLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 54A 8PDFN

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
NDS335N

NDS335N

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 1.7A SSOT3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig

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