International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB180N04S4H0ATMA1

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Spezifikation

Artikelnummer

IPB180N04S4H0ATMA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IPB180N04S4H0ATMA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 180µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TO263-7-3
Serie

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.1 mOhm @ 100A, 10V
Verlustleistung (max)

250W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Andere Namen

IPB180N04S4-H0
IPB180N04S4-H0-ND
IPB180N04S4H0ATMA1TR
SP000711248
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

17940pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

225nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 40V 180A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

180A (Tc)

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IPB180N06S4H1ATMA2

Beschreibung:

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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