SUD19N20-90-E3

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Spezifikation

Artikelnummer

SUD19N20-90-E3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 200V 19A DPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SUD19N20-90-E3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-252, (D-Pak)
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

90 mOhm @ 5A, 10V
Verlustleistung (max)

3W (Ta), 136W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

SUD19N20-90-E3CT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

51nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

200V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 200V 19A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

19A (Tc)

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SUD20N10-66L-GE3

Beschreibung:

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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