SUP60N10-18P-E3

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Spezifikation

Artikelnummer

SUP60N10-18P-E3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.SUP60N10-18P-E3.pdf
2.SUP60N10-18P-E3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220AB
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

18.3 mOhm @ 15A, 10V
Verlustleistung (max)

3.75W (Ta), 150W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2600pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

75nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

8V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 60A (Tc) 3.75W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-220AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

60A (Tc)

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Das Folgende sind "SUP60N10-18P-E3" -Einziper.

SUP60N02-4M5P-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 60A TO220AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SUP60N10-18P-E3

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