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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > SUP90N06-6M0P-E3
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1581729SUP90N06-6M0P-E3-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

SUP90N06-6M0P-E3

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$1.553
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SUP90N06-6M0P-E3
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 60V 90A TO220AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-220AB
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6 mOhm @ 20A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    3.75W (Ta), 272W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-3
  • Andere Namen
    SUP90N06-6M0P-E3CT
    SUP90N06-6M0P-E3CT-ND
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    33 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    4700pF @ 30V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    120nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    60V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 60V 90A (Tc) 3.75W (Ta), 272W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    90A (Tc)
  • Basisteilenummer
    SUP90N06
SUPDM11

SUPDM11

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vorrätig
SUP90220E-GE3

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Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 64A TO220AB

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Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 90A TO220AB

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SUP90140E-GE3

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