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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > U8BT-E3/4W
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5951261U8BT-E3/4W-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

U8BT-E3/4W

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    U8BT-E3/4W
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.02V @ 8A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    100V
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-263AB
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    20ns
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 100V 8A Surface Mount TO-263AB
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 100V
  • Strom - Richt (Io)
    8A
  • Kapazität @ Vr, F
    -

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2024/11/13
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Das Folgende sind "U8BT-E3/4W" -Einziper.
ES3D-13-F

ES3D-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A SMC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
VS-80APF12PBF

VS-80APF12PBF

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 80A TO247AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BAQ133-GS18

BAQ133-GS18

Beschreibung: DIODE GEN PURP 30V 200MA SOD80

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
MR751RL

MR751RL

Beschreibung: DIODE GP 100V 6A MICRODE BUTTON

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
LSM545G/TR13

LSM545G/TR13

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 45V 5A DO215AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
BYT30PI-400RG

BYT30PI-400RG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 30A DOP3I

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
C4D08120E

C4D08120E

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 8A TO252-2

Hersteller: Cree Wolfspeed
vorrätig
RFQ
BAS16-G

BAS16-G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
RFQ
SD103AWS-7-F

SD103AWS-7-F

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 350MA SOD323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
BY500-100-E3/73

BY500-100-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 5A DO201AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
MBR1090

MBR1090

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 90V 10A TO220-2

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BYG20J-E3/TR3

BYG20J-E3/TR3

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
1N4152TR

1N4152TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 40V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
SBR0230T5-7

SBR0230T5-7

Beschreibung: DIODE SBR 30V 200MA SOD523

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
PDS5100Q-13D

PDS5100Q-13D

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 100V 5A POWERDI5

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
SFA802G C0G

SFA802G C0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
V35PWM60HM3/I

V35PWM60HM3/I

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 35A SLIMDPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
MBRH200150R

MBRH200150R

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 200V 200A D-67

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
VS-30EPF02-M3

VS-30EPF02-M3

Beschreibung: DIODE SOFT FAST 30A TO-247

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
SS110L M2G

SS110L M2G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 100V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
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