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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > U8DT-E3/4W
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3416353U8DT-E3/4W-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

U8DT-E3/4W

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    U8DT-E3/4W
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.02V @ 8A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-263AB
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    20ns
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 200V 8A Surface Mount TO-263AB
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 200V
  • Strom - Richt (Io)
    8A
  • Kapazität @ Vr, F
    -
1N4934RLG

1N4934RLG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO41

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
2T2KA

2T2KA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 2KV 2A AXIAL

Hersteller: Semtech Corporation
vorrätig
VSSA210HM3/61T

VSSA210HM3/61T

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 100V 1.7A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
S300YR

S300YR

Beschreibung: DIODE GEN PURP REV 1.6KV DO9

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
TSPB15U100S S1G

TSPB15U100S S1G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 100V 15A SMPC4.0

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
SBAS16HT3G

SBAS16HT3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
DB2X41500L

DB2X41500L

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 3A MINI2

Hersteller: Panasonic Electronic Components
vorrätig
SS12L MQG

SS12L MQG

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
BAV100-GS08

BAV100-GS08

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 250MA SOD80

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BAS40Q-7-F

BAS40Q-7-F

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
VS-307UR200

VS-307UR200

Beschreibung: DIODE GP 2KV 330A DO205AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
S3J R7G

S3J R7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
JANTX1N3295

JANTX1N3295

Beschreibung: DIODE GP 1KV 100A DO205AA

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
1N5391GHB0G

1N5391GHB0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO204AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
NSB8BTHE3/81

NSB8BTHE3/81

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
B160-M3/61T

B160-M3/61T

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
61SPB045A

61SPB045A

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 45V 60A SPD-2A

Hersteller: SMC Diode Solutions
vorrätig
JAN1N1188R

JAN1N1188R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
BAV19WS-E3-08

BAV19WS-E3-08

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
EK 06W

EK 06W

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 700MA AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig

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