Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > S3J R7G
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
1044268S3J R7G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

S3J R7G

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
1+
$0.52
10+
$0.406
100+
$0.279
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    S3J R7G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    S3J R7G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.15V @ 3A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AB (SMC)
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AB, SMC
  • Andere Namen
    S3J R7GCT
    S3J R7GCT-ND
    S3JR7GCT
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    3A
  • Kapazität @ Vr, F
    60pF @ 4V, 1MHz

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "S3J R7G" -Einziper.
S3J

S3J

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
S3JBTR

S3JBTR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A SMB

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RFQ
S3JHE3/9AT

S3JHE3/9AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S3J V7G

S3J V7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S3J-M3/57T

S3J-M3/57T

Beschreibung: DIODE GPP 3A 600V DO-214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S3JHE3/57T

S3JHE3/57T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S3JB-TP

S3JB-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
S3J-13

S3J-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A SMC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
S3J-E3/9AT

S3J-E3/9AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S3JBHR5G

S3JBHR5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S3JB R5G

S3JB R5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S3JB-13-F

S3JB-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
S3JB-13

S3JB-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
S3JB

S3JB

Beschreibung: DIODE GP 600V 3A SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
S3JB M4G

S3JB M4G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S3J-E3/57T

S3J-E3/57T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S3J

S3J

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A SMC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
S3J-M3/9AT

S3J-M3/9AT

Beschreibung: DIODE GPP 3A 600V DO-214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S3J-TP

S3J-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
S3J-13-F

S3J-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A SMC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.