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6981802US1G-M3/61T-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

US1G-M3/61T

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  • Artikelnummer
    US1G-M3/61T
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    US1G-M3/61T.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    400V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AC (SMA)
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    50ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AC, SMA
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 400V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 400V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    15pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "US1G-M3/61T" -Einziper.
US1GHM2G

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
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US1G-E3/5AT

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
US1G-M3/5AT

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
US1GHE3/61T

US1GHE3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
US1GHE3_A/I

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
US1G R3G

US1G R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
US1DWF-7

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123F

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
US1G-13

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
US1G/1

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
US1GHR3G

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
US1DHR3G

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
US1GHE3/5AT

US1GHE3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
US1G-13-F

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
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US1FFA

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 1A SOD123FA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
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US1G-TP

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
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US1G-E3/61T

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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US1G M2G

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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US1GWF-7

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123F

Hersteller: Diodes Incorporated
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US1GFA

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Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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US1GHE3_A/H

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

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