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196037US1FFA-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

US1FFA

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    US1FFA
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 300V 1A SOD123FA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    US1FFA.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    950mV @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    300V
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOD-123FA
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    50ns
  • Verpackung
    Original-Reel®
  • Verpackung / Gehäuse
    SOD-123W
  • Andere Namen
    US1FFADKR
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    15 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 300V 1A Surface Mount SOD-123FA
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 300V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    20pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "US1FFA" -Einziper.
US1D/1

US1D/1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
US1DHM2G

US1DHM2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
US1G/1

US1G/1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
US1DHE3_A/I

US1DHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
US1DFA

US1DFA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123FA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
US1D-TP

US1D-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
US1G-M3/5AT

US1G-M3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
US1G R3G

US1G R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
US1DHR3G

US1DHR3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
US1DHE3/5AT

US1DHE3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
US1G-E3/5AT

US1G-E3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
US1G-13-F

US1G-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
US1G-TP

US1G-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
US1DWF-7

US1DWF-7

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123F

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
US1G-13

US1G-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
US1G M2G

US1G M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
US1G-E3/61T

US1G-E3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
US1DHE3_A/H

US1DHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
US1DHE3/61T

US1DHE3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
US1G-M3/61T

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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