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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-IGBTs-Module > VS-50MT060WHTAPBF
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1979436VS-50MT060WHTAPBF-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

VS-50MT060WHTAPBF

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30+
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    VS-50MT060WHTAPBF
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IGBT 600V 114A 658W MTP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    600V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    3.2V @ 15V, 100A
  • Supplier Device-Gehäuse
    MTP
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    658W
  • Verpackung / Gehäuse
    12-MTP Module
  • Andere Namen
    VS50MT060WHTAPBF
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • NTC-Thermistor
    No
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    27 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingangskapazität (Cíes) @ VCE
    7.1nF @ 30V
  • Eingang
    Standard
  • IGBT-Typ
    -
  • detaillierte Beschreibung
    IGBT Module Half Bridge 600V 114A 658W Chassis Mount MTP
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    400µA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    114A
  • Konfiguration
    Half Bridge
VS-4EWH02FNTR-M3

VS-4EWH02FNTR-M3

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 4A D-PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
VS-4EWH02FNTRR-M3

VS-4EWH02FNTRR-M3

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 4A D-PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
VS-50PF120

VS-50PF120

Beschreibung: DIODE STD REC 1200V 50A DO5

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
VS-4EWH02FN-M3

VS-4EWH02FN-M3

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 4A DPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
VS-4EVH02-M3/I

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Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE 200V SLIMDPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
VS-4EWH02FNHM3

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 4A TO252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
VS-50PF140

VS-50PF140

Beschreibung: DIODE STD REC 1400V 50A DO5

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
VS-50EPU12L-N3

VS-50EPU12L-N3

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO247AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
VS-50PF120W

VS-50PF120W

Beschreibung: DIODE STD REC 1200V 50A DO5

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
VS-50PF140W

VS-50PF140W

Beschreibung: DIODE STD REC 1400V 50A DO5

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
VS-4EVH02HM3/I

VS-4EVH02HM3/I

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE 200V SLIMDPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
VS-50PF40

VS-50PF40

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 50A DO203AB

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
VS-50PF80

VS-50PF80

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 50A DO203AB

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
VS-50PF160W

VS-50PF160W

Beschreibung: DIODE STD REC 1600V 50A DO5

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
VS-50PF40W

VS-50PF40W

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 50A DO203AB

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
VS-50PF160

VS-50PF160

Beschreibung: DIODE STD REC 1600V 50A DO5

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
VS-4EVH01HM3/I

VS-4EVH01HM3/I

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE 100V SLIMDPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
VS-50PF80W

VS-50PF80W

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 50A DO203AB

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
VS-4EWH02FNTRL-M3

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 4A D-PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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VS-4EVH01-M3/I

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Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE 100V SLIMDPAK

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