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SI4438-C2A-GM

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SI4438-C2A-GM
  • Hersteller / Marke
    Energy Micro (Silicon Labs)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    SI4438-C2A-GM.pdf
  • Spannungsversorgung
    1.8 V ~ 3.6 V
  • Art
    TxRx + MCU
  • Serie
    -
  • Serielle Schnittstellen
    SPI
  • Empfindlichkeit
    -124dBm
  • RF Familie / Standard
    General ISM < 1GHz
  • Protokoll
    -
  • Leistung
    20dBm (Max)
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    20-VFQFN Exposed Pad
  • Andere Namen
    336-3095
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Modulation
    FSK, GFSK, GMSK, OOK
  • Speichergröße
    -
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    8 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • GPIO
    4
  • Frequenz
    425MHz ~ 525MHz
  • detaillierte Beschreibung
    IC RF TxRx + MCU General ISM
  • Datenrate (Max)
    500kbps
  • Strom - senden
    75mA
  • Strom - empfangen
    13.7mA

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SI4435DYPBF

SI4435DYPBF

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SI4435DYTRPBF

SI4435DYTRPBF

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SI4442DY-T1-E3

SI4442DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4436DY-T1-E3

SI4436DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4438DY-T1-E3

SI4438DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4435DY

SI4435DY

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
SI4438-B1C-FMR

SI4438-B1C-FMR

Beschreibung: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
RFQ
SI4436DY-T1-GE3

SI4436DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4438DY-T1-GE3

SI4438DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4447ADY-T1-GE3

SI4447ADY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4438-C2A-GMR

SI4438-C2A-GMR

Beschreibung: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
RFQ
SI4446DY-T1-GE3

SI4446DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4442DY-T1-GE3

SI4442DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4435FDY-T1-GE3

SI4435FDY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4438-B1C-FM

SI4438-B1C-FM

Beschreibung: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
RFQ
SI4435DYTR

SI4435DYTR

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SI4446DY-T1-E3

SI4446DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4447DY-T1-E3

SI4447DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4447DY-T1-GE3

SI4447DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4435DY

SI4435DY

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
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