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4927344SI4435DYPBF-Bild.International Rectifier (Infineon Technologies)

SI4435DYPBF

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SI4435DYPBF
  • Hersteller / Marke
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    SI4435DYPBF.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-SO
  • Serie
    HEXFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    20 mOhm @ 8A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    2.5W (Ta)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Andere Namen
    SP001569846
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    2320pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    60nC @ 10V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 30V 8A (Tc) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    8A (Tc)

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SI4436DY-T1-GE3

SI4436DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4435DY

SI4435DY

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
SI4434DY-T1-E3

SI4434DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4438-C2A-GMR

SI4438-C2A-GMR

Beschreibung: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
RFQ
SI4438DY-T1-E3

SI4438DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4435DYTR

SI4435DYTR

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SI4434DY-T1-GE3

SI4434DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4434ADY-T1-GE3

SI4434ADY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 250V SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4435DY

SI4435DY

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SI4438-C2A-GM

SI4438-C2A-GM

Beschreibung: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
RFQ
SI4438-B1C-FMR

SI4438-B1C-FMR

Beschreibung: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
RFQ
SI4435DDY-T1-E3

SI4435DDY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4435DYTRPBF

SI4435DYTRPBF

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SI4435FDY-T1-GE3

SI4435FDY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4438-B1C-FM

SI4438-B1C-FM

Beschreibung: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
RFQ
SI4432-B1-FMR

SI4432-B1-FMR

Beschreibung: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
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SI4432-V2-FM

SI4432-V2-FM

Beschreibung: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
RFQ
SI4435BDY-T1-E3

SI4435BDY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4435DDY-T1-GE3

SI4435DDY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4436DY-T1-E3

SI4436DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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