SI8261AAC-C-IS

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Spezifikation

Artikelnummer

SI8261AAC-C-IS
Hersteller / Marke

Energy Micro (Silicon Labs)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI8261AAC-C-IS.pdf
ECAD -Modell
Spannungsversorgung

6.5 V ~ 30 V
Spannung - Isolation

3750Vrms
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

2.8V (Max)
Technologie

Capacitive Coupling
Supplier Device-Gehäuse

8-SOIC
Serie

Automotive, AEC-Q100
Aufstieg / Fallzeit (Typ)

5.5ns, 8.5ns
Pulsbreite Verzerrung (Max)

28ns
Ausbreitungsverzögerung tpLH / tpHL (Max)

60ns, 50ns
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C
Anzahl der Kanäle

1
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

6 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

600mA Gate Driver Capacitive Coupling 3750Vrms 1 Channel 8-SOIC
Strom - Spitzenausgang

600mA
Strom - hoch, niedrig

400mA, 600mA
Strom - DC Vorwärts (If) (Max)

30mA
Gattungsmodus vorübergehende Immunität (min.)

35kV/µs
Zulassungen

CQC, CSA, UR, VDE

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2025/02/8

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SI8261ABA-C-IS

Beschreibung: DGTL ISO 1CH GATE DRIVER

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

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