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SI8261ABC-C-IS

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SI8261ABC-C-IS
  • Hersteller / Marke
    Energy Micro (Silicon Labs)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    SI8261ABC-C-IS.pdf
  • Spannungsversorgung
    9.4 V ~ 30 V
  • Spannung - Isolation
    3750Vrms
  • Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)
    2.8V (Max)
  • Technologie
    Capacitive Coupling
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-SOIC
  • Serie
    Automotive, AEC-Q100
  • Aufstieg / Fallzeit (Typ)
    5.5ns, 8.5ns
  • Pulsbreite Verzerrung (Max)
    28ns
  • Ausbreitungsverzögerung tpLH / tpHL (Max)
    60ns, 50ns
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Andere Namen
    336-4698
    SI8261ABC-C-IS-ND
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 125°C
  • Anzahl der Kanäle
    1
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    6 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    600mA Gate Driver Capacitive Coupling 3750Vrms 1 Channel 8-SOIC
  • Strom - Spitzenausgang
    600mA
  • Strom - hoch, niedrig
    400mA, 600mA
  • Strom - DC Vorwärts (If) (Max)
    30mA
  • Gattungsmodus vorübergehende Immunität (min.)
    35kV/µs
  • Zulassungen
    CQC, CSA, UR, VDE

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Beschreibung: DGTL ISO 1CH GATE DRIVER

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SI8261ACC-C-IPR

SI8261ACC-C-IPR

Beschreibung: DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8DIPGW

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SI8261ABA-C-ISR

SI8261ABA-C-ISR

Beschreibung: DGTL ISO 1CH GATE DRIVER

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SI8261ACA-C-IS

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SI8261ABD-C-ISR

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SI8261ABC-C-IP

Beschreibung: DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8DIPGW

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SI8261AAD-C-IMR

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