SI8261ABD-C-ISR

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Spezifikation

Artikelnummer

SI8261ABD-C-ISR
Hersteller / Marke

Energy Micro (Silicon Labs)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SDIP
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI8261ABD-C-ISR.pdf
ECAD -Modell
Spannungsversorgung

9.4 V ~ 30 V
Spannung - Isolation

5000Vrms
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

2.8V (Max)
Technologie

Capacitive Coupling
Supplier Device-Gehäuse

6-SDIP
Serie

Automotive, AEC-Q100
Aufstieg / Fallzeit (Typ)

5.5ns, 8.5ns
Pulsbreite Verzerrung (Max)

28ns
Ausbreitungsverzögerung tpLH / tpHL (Max)

60ns, 50ns
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Andere Namen

336-4491-2
SI8261ABD-C-ISR-ND
Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C
Anzahl der Kanäle

1
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

6 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

600mA Gate Driver Capacitive Coupling 5000Vrms 1 Channel 6-SDIP
Strom - Spitzenausgang

600mA
Strom - hoch, niedrig

400mA, 600mA
Strom - DC Vorwärts (If) (Max)

30mA
Gattungsmodus vorübergehende Immunität (min.)

35kV/µs
Zulassungen

CQC, CSA, UR, VDE

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Versand
Zahlungsmittel

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2025/02/8

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SI8261ABD-C-IMR

Beschreibung: DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 8LGA

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

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