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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > 1N5404
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40303151N5404-Bild.Fairchild/ON Semiconductor

1N5404

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N5404
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    Standard
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    3A
  • Spannung - Durchschlag
    DO-201AD
  • Serie
    -
  • RoHS Status
    Tape & Reel (TR)
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Widerstand @ If, F
    30pF @ 4V, 1MHz
  • Polarisation
    DO-201AD, Axial
  • Andere Namen
    1N5404-ND
    1N5404FSTR
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller-Teilenummer
    1N5404
  • Expanded Beschreibung
    Diode Standard 400V 3A Through Hole DO-201AD
  • Diodenkonfiguration
    5µA @ 400V
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1.2V @ 3A
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    400V
  • Kapazität @ Vr, F
    -55°C ~ 150°C
1N5403-E3/54

1N5403-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N5404GHA0G

1N5404GHA0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
1N5404-B

1N5404-B

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
1N5404-E3/51

1N5404-E3/51

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N5402GHB0G

1N5402GHB0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
1N5404

1N5404

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
1N5402RLG

1N5402RLG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
1N5402GHR0G

1N5402GHR0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
1N5402RL

1N5402RL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
1N5404G-T

1N5404G-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
1N5404-G

1N5404-G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
1N5403

1N5403

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
1N5404G

1N5404G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
1N5404-TP

1N5404-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
1N5402GP-TP

1N5402GP-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
1N5404-E3/73

1N5404-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N5404-E3/54

1N5404-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N5402T-G

1N5402T-G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
1N5402TA

1N5402TA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
1N5404-T

1N5404-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig

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