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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > 1N3883
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711901N3883-Bild.GeneSiC Semiconductor

1N3883

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N3883
  • Hersteller / Marke
    GeneSiC Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 400V 6A DO4
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.1N3883.pdf
    2.1N3883.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.4V @ 6A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    400V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-4
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    200ns
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-203AA, DO-4, Stud
  • Andere Namen
    1242-1002
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Chassis, Stud Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 400V 6A Chassis, Stud Mount DO-4
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    15µA @ 50V
  • Strom - Richt (Io)
    6A
  • Kapazität @ Vr, F
    -
  • Basisteilenummer
    1N3883

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1N3889

1N3889

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 12A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N3881

1N3881

Beschreibung: FAST RECOVERY RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N3880R

1N3880R

Beschreibung: DIODE GEN PURP REV 100V 6A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N3880R

1N3880R

Beschreibung: FAST RECOVERY RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N3882

1N3882

Beschreibung: FAST RECOVERY RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N3882R

1N3882R

Beschreibung: FAST RECOVERY RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N3890A

1N3890A

Beschreibung: FAST RECOVERY RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N3883R

1N3883R

Beschreibung: DIODE GEN PURP REV 400V 6A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N3881

1N3881

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 6A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N3883R

1N3883R

Beschreibung: FAST RECOVERY RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N3890

1N3890

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 12A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N3889

1N3889

Beschreibung: FAST RECOVERY RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N3882

1N3882

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 6A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N3883

1N3883

Beschreibung: FAST RECOVERY RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N3889R

1N3889R

Beschreibung: FAST RECOVERY RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N3882R

1N3882R

Beschreibung: DIODE GEN PURP REV 300V 6A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N3890

1N3890

Beschreibung: FAST RECOVERY RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N3889R

1N3889R

Beschreibung: DIODE GEN PURP REV 50V 12A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N3881R

1N3881R

Beschreibung: FAST RECOVERY RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
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Beschreibung: DIODE GEN PURP REV 200V 6A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
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