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1N3882R

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N3882R
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP REV 300V 6A DO4
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    Standard, Reverse Polarity
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    6A
  • Spannung - Durchschlag
    DO-4
  • Serie
    -
  • RoHS Status
    Bulk
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Widerstand @ If, F
    -
  • Polarisation
    DO-203AA, DO-4, Stud
  • Andere Namen
    1N3882RGN
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    200ns
  • Befestigungsart
    Chassis, Stud Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Hersteller-Teilenummer
    1N3882R
  • Expanded Beschreibung
    Diode Standard, Reverse Polarity 300V 6A Chassis, Stud Mount DO-4
  • Diodenkonfiguration
    15µA @ 50V
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP REV 300V 6A DO4
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1.4V @ 6A
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    300V
  • Kapazität @ Vr, F
    -65°C ~ 150°C
1N3883R

1N3883R

Beschreibung: FAST RECOVERY RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N3883

1N3883

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 6A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
1N3881R

1N3881R

Beschreibung: FAST RECOVERY RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N3880

1N3880

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 6A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
1N3880

1N3880

Beschreibung: FAST RECOVERY RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N3882

1N3882

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 6A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
1N3889

1N3889

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 12A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
1N3883

1N3883

Beschreibung: FAST RECOVERY RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N3880R

1N3880R

Beschreibung: FAST RECOVERY RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N3881

1N3881

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 6A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
1N3889R

1N3889R

Beschreibung: DIODE GEN PURP REV 50V 12A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
1N3881R

1N3881R

Beschreibung: DIODE GEN PURP REV 200V 6A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
1N3889R

1N3889R

Beschreibung: FAST RECOVERY RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N3880R

1N3880R

Beschreibung: DIODE GEN PURP REV 100V 6A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
1N3882R

1N3882R

Beschreibung: FAST RECOVERY RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N3881

1N3881

Beschreibung: FAST RECOVERY RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N3882

1N3882

Beschreibung: FAST RECOVERY RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N3883R

1N3883R

Beschreibung: DIODE GEN PURP REV 400V 6A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
1N3889

1N3889

Beschreibung: FAST RECOVERY RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N3890

1N3890

Beschreibung: FAST RECOVERY RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
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