GA10JT12-247

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Spezifikation

Artikelnummer

GA10JT12-247
Hersteller / Marke

GeneSiC Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS SJT 1.2KV 10A
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

GA10JT12-247.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

-
Vgs (Max)

-
Technologie

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Supplier Device-Gehäuse

TO-247AB
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

140 mOhm @ 10A
Verlustleistung (max)

170W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-247-3
Andere Namen

1242-1187
GA10JT12247
Betriebstemperatur

175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Typ FET

-
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-
Drain-Source-Spannung (Vdss)

1200V
detaillierte Beschreibung

1200V 10A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-247AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

10A (Tc)

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Das Folgende sind "GA10JT12-247" -Einziper.

GA10JT12-263

Beschreibung: TRANS SJT 1200V 25A

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

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