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2108240GAP3SLT33-214-Bild.GeneSiC Semiconductor

GAP3SLT33-214

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$18.743
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    GAP3SLT33-214
  • Hersteller / Marke
    GeneSiC Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA DO214
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    GAP3SLT33-214.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    2.2V @ 300mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    3300V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AA
  • Geschwindigkeit
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    0ns
  • Verpackung
    Original-Reel®
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AA, SMB
  • Andere Namen
    1242-1172-6
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    18 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Silicon Carbide Schottky
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Silicon Carbide Schottky 3300V 300mA (DC) Surface Mount DO-214AA
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 3300V
  • Strom - Richt (Io)
    300mA (DC)
  • Kapazität @ Vr, F
    42pF @ 1V, 1MHz
  • Basisteilenummer
    GAP3SLT33

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Das Folgende sind "GAP3SLT33-214" -Einziper.
AU2PJHM3_A/I

AU2PJHM3_A/I

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 600V 1.6A TO277A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SMMSD4148T3G

SMMSD4148T3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD123

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
SHV-06JV1

SHV-06JV1

Beschreibung: IC RECT DIODE HV AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
GAP05SLT80-220

GAP05SLT80-220

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIAL

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4942GP-M3/73

1N4942GP-M3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE DO-204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BYT51D-TAP

BYT51D-TAP

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A SOD57

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
XBS304S17R-G

XBS304S17R-G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 3A SMA

Hersteller: Torex Semiconductor Ltd
vorrätig
RFQ
BYM13-40HE3/97

BYM13-40HE3/97

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
GL41T-E3/97

GL41T-E3/97

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
PR3003-T

PR3003-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
B130Q-13-F

B130Q-13-F

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SMA

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
SS14HE3_A/I

SS14HE3_A/I

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
VS-5EWH06FNTRRHM3

VS-5EWH06FNTRRHM3

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
GAP185

GAP185

Beschreibung: FRONT SAFETY COVER CC185-800

Hersteller: Carlo Gavazzi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6621U

JANTXV1N6621U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1.2A A-MELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
NRVB30H100MFST3G

NRVB30H100MFST3G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 100V 30A 5DFN

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
S2BHR5G

S2BHR5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
GAP3SLT33-220FP

GAP3SLT33-220FP

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA TO220

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
S5GHM3/57T

S5GHM3/57T

Beschreibung: DIODE GP 400V 5A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
GAP9

GAP9

Beschreibung: FRONT SAFETY COVER CC9-150

Hersteller: Carlo Gavazzi
vorrätig
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