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1504988GB50SLT12-247-Bild.GeneSiC Semiconductor

GB50SLT12-247

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    GB50SLT12-247
  • Hersteller / Marke
    GeneSiC Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO247AC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    GB50SLT12-247.pdf
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    Silicon Carbide Schottky
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    50A
  • Spannung - Durchschlag
    TO-247AC
  • Serie
    -
  • RoHS Status
    Tube
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Widerstand @ If, F
    2940pF @ 1V, 1MHz
  • Polarisation
    TO-247-2
  • Andere Namen
    1242-1179
    GB50SLT12247
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    0ns
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    18 Weeks
  • Hersteller-Teilenummer
    GB50SLT12-247
  • Expanded Beschreibung
    Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 50A Through Hole TO-247AC
  • Diodenkonfiguration
    1mA @ 1200V
  • Beschreibung
    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO247AC
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1.8V @ 50A
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    1200V (1.2kV)
  • Kapazität @ Vr, F
    -55°C ~ 175°C

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SD103AWS-TP

SD103AWS-TP

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 350MA SOD323

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
S3K-E3/57T

S3K-E3/57T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES1D-TP

ES1D-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: Micro Commercial Co
vorrätig
RFQ
SB550A-E3/54

SB550A-E3/54

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 50V 5A DO201AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SBR5E60P5-7D

SBR5E60P5-7D

Beschreibung: DIODE SBR 60V 5A POWERDI5

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
VS-40HFR40M

VS-40HFR40M

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 40A DO203AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
AU3PJHM3/86A

AU3PJHM3/86A

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 600V 1.7A TO277A

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
RS3K V7G

RS3K V7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S3MB

S3MB

Beschreibung: DIODE GP 1000V 3A SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
SK310BE3/TR13

SK310BE3/TR13

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 100V 3A SMB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
FFPF15S60STU

FFPF15S60STU

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220F

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
AS3PKHM3_A/I

AS3PKHM3_A/I

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 800V 2.1A TO277A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4006G

1N4006G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
S15DLWHRVG

S15DLWHRVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1.5A SOD123W

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1SS307E,L3F

1SS307E,L3F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 100MA SC79

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RS2MAHM2G

RS2MAHM2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.5A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
BYT51D-TR

BYT51D-TR

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A SOD57

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SR206HA0G

SR206HA0G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO204AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ESH2PBHE3/85A

ESH2PBHE3/85A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO220AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
VS-1N3208R

VS-1N3208R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 15A DO203AB

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
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