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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > 1SS307E,L3F
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4392671SS307E,L3F-Bild.Toshiba Semiconductor and Storage

1SS307E,L3F

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24000+
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56000+
$0.022
200000+
$0.018
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1SS307E,L3F
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 80V 100MA SC79
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.3V @ 100mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    80V
  • Supplier Device-Gehäuse
    SC-79
  • Geschwindigkeit
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SC-79, SOD-523
  • Andere Namen
    1SS307E,L3F(B
    1SS307E,L3F(T
    1SS307EL3FTR
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    150°C (Max)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    16 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 80V 100mA Surface Mount SC-79
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10nA @ 80V
  • Strom - Richt (Io)
    100mA
  • Kapazität @ Vr, F
    6pF @ 0V, 1MHz
1SS351-TB-E

1SS351-TB-E

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30MA 5V CP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
1SS319(TE85L,F)

1SS319(TE85L,F)

Beschreibung: DIODE SCHOTKY GP 40V 100MA SC61B

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
1SS355VMTE-17

1SS355VMTE-17

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 100MA UMD2

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
1SS355TE-17

1SS355TE-17

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 100MA UMD2

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
1SS272TE85LF

1SS272TE85LF

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC61B

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
1SS302TE85LF

1SS302TE85LF

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC70

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
1SS352,H3F

1SS352,H3F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 100MA SC76-2

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
1SS295(TE85L,F)

1SS295(TE85L,F)

Beschreibung: DIODE ARRAY SCHOTTKY 4V SC59-3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
1SS300,LF

1SS300,LF

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
1SS309(TE85L,F)

1SS309(TE85L,F)

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SMV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
1SS308(TE85L,F

1SS308(TE85L,F

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC74A

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
1SS315TPH3F

1SS315TPH3F

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 5V 30MA USC

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
1SS355-TP

1SS355-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 100MA SOD323

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
1SS301SU,LF

1SS301SU,LF

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC70

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
1SS302A,LF

1SS302A,LF

Beschreibung: DIODE SW 80V 100MA USM SC70

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
1SS301,LF

1SS301,LF

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
1SS307(TE85L,F)

1SS307(TE85L,F)

Beschreibung: DIODE GEN PURP 30V 100MA SMINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
1SS306TE85LF

1SS306TE85LF

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 200V 100MA SC61B

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
1SS294,LF

1SS294,LF

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 100MA SMINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
1SS355 RRG

1SS355 RRG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 150MA SOD323F

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig

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