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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Arrays > MBR600100CT

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MBR600100CT-Bild.

GeneSiC Semiconductor

MBR600100CT

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vorrätig

25+

$80.865

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

MBR600100CT
Hersteller / Marke

GeneSiC Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.MBR600100CT.pdf
2.MBR600100CT.pdf
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If

880mV @ 300A
Spannung - Sperr (Vr) (max)

100V
Supplier Device-Gehäuse

Twin Tower
Geschwindigkeit

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

Twin Tower
Andere Namen

MBR600100CTGN
Befestigungsart

Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

4 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp

Schottky
Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode
detaillierte Beschreibung

Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 100V 300A Chassis Mount Twin Tower
Strom - Sperrleckstrom @ Vr

1mA @ 20V
Strom - Richt (Io) (pro Diode)

300A

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Das Folgende sind "MBR600100CT" -Einziper.

MBR5H150VPA-G1

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 150V 5A DO27

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

MBR600150CT

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 150V 300A 2 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MBR5H150VPTR-E1

MBR5H150VPTR-E1

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 150V 5A DO27

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

MBR60030CT

Beschreibung: DIODE MODULE 30V 300A 2TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MBR60020CT

Beschreibung: DIODE MODULE 20V 300A 2TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MBR60020CTR

Beschreibung: DIODE MODULE 20V 300A 2TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MBR60020CTRL

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20V 300A 2 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MBR5H150VP-E1

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 150V 5A DO27

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

MBR5H150VP-G1

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 150V 5A DO27

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

MBR600200CTR

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MBR5H150VPC-E1

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 150V 5A DO27

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

MBR5H150VPB-G1

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 150V 5A DO27

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

MBR5H150VPB-E1

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 150V 5A DO27

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

MBR60020CTL

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20V 300A 2 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MBR600150CTR

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 150V 300A 2 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MBR5H100MFST3G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 100V 5A 5DFN

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

MBR5H150VPA-E1

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 150V 5A DO27

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

MBR600100CTR

Beschreibung: DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MBR600200CT

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MBR5H150VPTR-G1

MBR5H150VPTR-G1

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 150V 5A DO27

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

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