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4051959MBR60020CTL-Bild.GeneSiC Semiconductor

MBR60020CTL

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MBR60020CTL
  • Hersteller / Marke
    GeneSiC Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE SCHOTTKY 20V 300A 2 TOWER
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    MBR60020CTL.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    580mV @ 300A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    20V
  • Supplier Device-Gehäuse
    Twin Tower
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    Twin Tower
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Schottky
  • Diodenkonfiguration
    1 Pair Common Cathode
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 20V 300A Chassis Mount Twin Tower
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    3mA @ 20V
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    300A

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Das Folgende sind "MBR60020CTL" -Einziper.
MBR600150CTR

MBR600150CTR

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 150V 300A 2 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MBR600100CTR

MBR600100CTR

Beschreibung: DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MBR60020CT

MBR60020CT

Beschreibung: DIODE MODULE 20V 300A 2TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MBR5H150VPC-E1

MBR5H150VPC-E1

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 150V 5A DO27

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
MBR60030CTRL

MBR60030CTRL

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 300A 2 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MBR600200CT

MBR600200CT

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MBR600200CTR

MBR600200CTR

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MBR60020CTRL

MBR60020CTRL

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20V 300A 2 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MBR5H150VPTR-E1

MBR5H150VPTR-E1

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 150V 5A DO27

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
MBR5H150VPTR-G1

MBR5H150VPTR-G1

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 150V 5A DO27

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
MBR60020CTR

MBR60020CTR

Beschreibung: DIODE MODULE 20V 300A 2TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MBR60030CT

MBR60030CT

Beschreibung: DIODE MODULE 30V 300A 2TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MBR600100CT

MBR600100CT

Beschreibung: DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MBR60030CTL

MBR60030CTL

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 300A 2 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MBR600150CT

MBR600150CT

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 150V 300A 2 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MBR60030CTR

MBR60030CTR

Beschreibung: DIODE MODULE 30V 300A 2TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
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MBR60035CTL

MBR60035CTL

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 35V 300A 2 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
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RFQ
MBR60035CTRL

MBR60035CTRL

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 35V 300A 2 TOWER

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MBR60035CTR

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MBR60035CT

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