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4063147MSRT20060(A)-Bild.GeneSiC Semiconductor

MSRT20060(A)

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  • Artikelnummer
    MSRT20060(A)
  • Hersteller / Marke
    GeneSiC Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.MSRT20060(A).pdf
    2.MSRT20060(A).pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.2V @ 200A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    Three Tower
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    Three Tower
  • Andere Namen
    MSRT20060(A)GN
    MSRT20060A
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • Diodenkonfiguration
    1 Pair Common Cathode
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 600V 200A (DC) Chassis Mount Three Tower
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    200A (DC)

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MSRT200160(A)

MSRT200160(A)

Beschreibung: DIODE MODULE 1.6KV 200A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
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MSRT15080(A)

MSRT15080(A)

Beschreibung: DIODE MODULE 800V 150A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSRT200100(A)D

MSRT200100(A)D

Beschreibung: DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSRT200120(A)

MSRT200120(A)

Beschreibung: DIODE MODULE 1.2KV 200A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSRT200140(A)

MSRT200140(A)

Beschreibung: DIODE MODULE 1.4KV 200A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSRT200120(A)D

MSRT200120(A)D

Beschreibung: DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSRT250140(A)

MSRT250140(A)

Beschreibung: DIODE MODULE 1.4KV 250A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSRTA200100(A)D

MSRTA200100(A)D

Beschreibung: DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSRT25060(A)

MSRT25060(A)

Beschreibung: DIODE MODULE 600V 250A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSRT250120(A)

MSRT250120(A)

Beschreibung: DIODE MODULE 1.2KV 250A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSRT250160(A)

MSRT250160(A)

Beschreibung: DIODE MODULE 1.6KV 250A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSRT20060(A)D

MSRT20060(A)D

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSRT20080(A)D

MSRT20080(A)D

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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
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RFQ
MSRT250100(A)

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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
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MSRT200160(A)D

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