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558937MSRT25060(A)-Bild.GeneSiC Semiconductor

MSRT25060(A)

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  • Artikelnummer
    MSRT25060(A)
  • Hersteller / Marke
    GeneSiC Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE MODULE 600V 250A 3TOWER
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    MSRT25060(A).pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.2V @ 250A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    Three Tower
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    Three Tower
  • Andere Namen
    MSRT25060(A)GN
    MSRT25060A
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • Diodenkonfiguration
    1 Pair Common Cathode
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 600V 250A (DC) Chassis Mount Three Tower
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    15µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    250A (DC)

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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
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RFQ
MSRT20060(A)D

MSRT20060(A)D

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSRT20080(A)D

MSRT20080(A)D

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSRT250160(A)

MSRT250160(A)

Beschreibung: DIODE MODULE 1.6KV 250A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSRTA20060(A)D

MSRTA20060(A)D

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSRTA200140(A)D

MSRTA200140(A)D

Beschreibung: DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSRTA200160(A)D

MSRTA200160(A)D

Beschreibung: DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSRT20060(A)

MSRT20060(A)

Beschreibung: DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSRT200160(A)D

MSRT200160(A)D

Beschreibung: DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSRT25080(A)

MSRT25080(A)

Beschreibung: DIODE MODULE 800V 250A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSRT250100(A)

MSRT250100(A)

Beschreibung: DIODE MODULE 1KV 250A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSRTA20080(A)D

MSRTA20080(A)D

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSRTA300120(A)D

MSRTA300120(A)D

Beschreibung: DIODE MODULE 1.2KV 300A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MSRT200160(A)

MSRT200160(A)

Beschreibung: DIODE MODULE 1.6KV 200A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
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MSRT250120(A)

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Beschreibung: DIODE MODULE 1.2KV 250A 3TOWER

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MSRT20080(A)

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MSRTA300100(A)D

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