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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Arrays > MURTA50040
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6120327MURTA50040-Bild.GeneSiC Semiconductor

MURTA50040

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MURTA50040
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE MODULE 400V 500A 3TOWER
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.5V @ 250A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    400V
  • Supplier Device-Gehäuse
    Three Tower
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    150ns
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    Three Tower
  • Andere Namen
    MURTA50040GN
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    4 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • Diodenkonfiguration
    1 Pair Common Cathode
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 400V 500A (DC) Chassis Mount Three Tower
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    25µA @ 50V
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    500A (DC)
MURTA40060

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURTA40020

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 200A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
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MURTA40020R

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 200A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
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MURTA600120R

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Beschreibung: DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
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Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 200A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
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Beschreibung: DIODE MODULE 400V 600A 3TOWER

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Beschreibung: DIODE MODULE 600V 500A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
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Beschreibung: DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
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Beschreibung: DIODE MODULE 200V 600A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
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Beschreibung: DIODE GEN 1.2KV 250A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
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Beschreibung: DIODE GEN 1.2KV 250A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
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Beschreibung: DIODE MODULE 200V 500A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
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Beschreibung: DIODE MODULE 600V 600A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
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Beschreibung: DIODE MODULE 200V 600A 3TOWER

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Beschreibung: DIODE MODULE 400V 600A 3TOWER

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Beschreibung: DIODE MODULE 600V 500A 3TOWER

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