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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Arrays > MURTA40060
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2967637MURTA40060-Bild.GeneSiC Semiconductor

MURTA40060

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MURTA40060
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.7V @ 200A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    Three Tower
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    Three Tower
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    4 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • Diodenkonfiguration
    1 Pair Common Cathode
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 600V 200A Chassis Mount Three Tower
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    25µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    200A
MURTA30060

MURTA30060

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURTA50060R

MURTA50060R

Beschreibung: DIODE MODULE 600V 500A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURTA600120

MURTA600120

Beschreibung: DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURTA40040R

MURTA40040R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 200A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURTA500120

MURTA500120

Beschreibung: DIODE GEN 1.2KV 250A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURTA30040

MURTA30040

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 150A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURTA500120R

MURTA500120R

Beschreibung: DIODE GEN 1.2KV 250A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURTA40020

MURTA40020

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 200A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURTA50040

MURTA50040

Beschreibung: DIODE MODULE 400V 500A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURTA50040R

MURTA50040R

Beschreibung: DIODE MODULE 400V 500A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURTA40020R

MURTA40020R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 200A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURTA400120R

MURTA400120R

Beschreibung: DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURTA30040R

MURTA30040R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 150A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURTA50020

MURTA50020

Beschreibung: DIODE MODULE 200V 500A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURTA400120

MURTA400120

Beschreibung: DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURTA40060R

MURTA40060R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURTA50020R

MURTA50020R

Beschreibung: DIODE MODULE 200V 500A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURTA50060

MURTA50060

Beschreibung: DIODE MODULE 600V 500A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURTA30060R

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
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MURTA40040

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 200A 3 TOWER

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