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GP1M018A020CG

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    GP1M018A020CG
  • Hersteller / Marke
    SemiQ
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 200V 18A DPAK
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    GP1M018A020CG.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    D-Pak
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    170 mOhm @ 9A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    94W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    950pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    18nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    200V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 200V 18A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount D-Pak
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    18A (Tc)

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GP1M016A060N

GP1M016A060N

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 16A TO3PN

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
RFQ
GP1M018A020FG

GP1M018A020FG

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 18A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
RFQ
GP1M015A050FH

GP1M015A050FH

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 14A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
RFQ
GP1M016A025HG

GP1M016A025HG

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 16A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
RFQ
GP1M016A025PG

GP1M016A025PG

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 16A IPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
RFQ
GP1S092HCPI

GP1S092HCPI

Beschreibung: PHOTOINTERRUPTER SLOT 2.0MM SMD

Hersteller: Sharp Microelectronics
vorrätig
RFQ
GP1M016A025CG

GP1M016A025CG

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 16A DPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
RFQ
GP1S092HCPIF

GP1S092HCPIF

Beschreibung: SENSOR OPTO SLOT 2MM TRANS SMD

Hersteller: Socle Technology Corporation
vorrätig
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GP1M015A050H

GP1M015A050H

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 14A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
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GP1M020A060M

GP1M020A060M

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 20A TO3P

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GP1M016A060FH

GP1M016A060FH

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 16A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
RFQ
GP1M023A050N

GP1M023A050N

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
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GP1M018A020HG

GP1M018A020HG

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 18A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GP1M020A050N

GP1M020A050N

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GP1M016A060H

GP1M016A060H

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 16A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GP1S036HEZ

GP1S036HEZ

Beschreibung: SENSOR TILT 2PHASE 20MA TH

Hersteller: Sharp Microelectronics
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GP1M020A060N

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GP1M016A060F

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 16A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group
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Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 18A IPAK

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Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 16A TO220F

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