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SemiQ - Die 2007 gegründete Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") ist ein integriertes Entwicklungs- und Produktionsunternehmen, das sich auf Produkte basierend auf Siliziumcarbid (SiC) -Technologien spezialisiert hat. Diese Produkte werden in den kommenden Jahren für die Leistungselektronik und die Energiewirtschaft von grundlegender Bedeutung sein, wo fortschrittliche Technologien für eine kostengünstige, hocheffiziente Energieerzeugung, -umwandlung und -übertragung benötigt werden.

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GSXD160A008S1-D3

GSXD160A008S1-D3

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 80V 160A SOT227

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GP2D006A060C

GP2D006A060C

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO252-2

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GP2M007A080F

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Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 7A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GP1M008A025FG

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Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 8A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GP2D012A065A

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Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220-2

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GP2M012A080NG

GP2M012A080NG

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GP1M008A025PG

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Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 8A IPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GHIS040A120S-A2

GHIS040A120S-A2

Beschreibung: IGBT BUCK CHOP 1200V 80A SOT227

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GP2M004A060FG

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 4A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GP1M016A060FH

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 16A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GP2D030A120B

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Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 30A TO247-2

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GP1M020A060N

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GP2D020A065U

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Beschreibung: DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GP2D010A120B

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Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO247-2

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GCMS040A120S1-E1

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Beschreibung: SIC MOSFET/ SBD MODULE SOT-227 C

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GHXS030A060S-D1

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Beschreibung: MOD SBD BRIDGE 600V 30A SOT227

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GSXF060A100S1-D3

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Beschreibung: DIODE FAST REC 1000V 60A SOT227

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GP2D010A065C

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Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 650V 30A TO252

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GSID100A120T2P2

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Beschreibung: SILICON IGBT MODULES

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GHIS080A060S-A1

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Beschreibung: IGBT BOOST CHOP 600V 160A SOT227

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GP2D030A120U

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Beschreibung: DIODE SIC 1200V 50A TO24

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GP1M003A050FG

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Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F

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GSXF120A100S1-D3

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Beschreibung: DIODE FAST REC 1000V 120A SOT227

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GSXD080A012S1-D3

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Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 120V 80A SOT227

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GP2D005A065C

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Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 650V 15A TO252

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GP2M002A060CG

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

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GHIS030A120S-A1

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Beschreibung: IGBT BOOST CHOP 1200V 60A SOT227

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GPA042A100L-ND

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Beschreibung: IGBT 1000V 60A 463W TO264

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GSXD160A020S1-D3

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Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 200V 160A SOT227

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GP1M020A060M

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 20A TO3P

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GP1M009A050HS

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Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220

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GP1M016A025FG

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Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 16A TO220F

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GSID300A125S5C1

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Beschreibung: IGBT MODULE 1250V 600A CHASSIS

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GHXS045A120S-D1

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Beschreibung: MOD SBD BRIDGE 1200V 45A SOT227

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GP2D006A065A

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Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2

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GPA030A120MN-FD

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Beschreibung: IGBT 1200V 60A 329W TO3PN

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GP2M004A060HG

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 4A TO220

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GP2D010A170B

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Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1.7KV 10A TO247-2

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GSXD050A020S1-D3

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Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 200V 50A SOT227

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Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 600V 15A TO220-2

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Beschreibung: DIODE ARRAY SCHOTTKY 600V TO247

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GHIS100A120T2P2

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Beschreibung: SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES

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GP2D020A170B

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Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1.7KV 20A TO247-2

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Beschreibung: IGBT 1200V 60A 329W TO247

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Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 650V 3A TO252-2

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GHIS060A120S-A1

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Beschreibung: IGBT BOOST CHP 1200V 120A SOT227

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GP1M007A065CG

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Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 6.5A DPAK

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GHIS040A120S-A1

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Beschreibung: IGBT BOOST CHOP 1200V 80A SOT227

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GPA060A060MN-FD

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Beschreibung: IGBT 600V 120A 347W TO3PN

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GP1M009A060FH

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 9A TO220F

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