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5585120GP2M012A060H-Bild.Global Power Technologies Group

GP2M012A060H

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    GP2M012A060H
  • Hersteller / Marke
    SemiQ
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 600V 12A TO220
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    GP2M012A060H.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-220
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    650 mOhm @ 6A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    231W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-3
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    1890pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    40nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    600V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 600V 12A (Tc) 231W (Tc) Through Hole TO-220
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    12A (Tc)

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Das Folgende sind "GP2M012A060H" -Einziper.
GP2M012A080NG

GP2M012A080NG

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
RFQ
GP2S24ABJ00F

GP2S24ABJ00F

Beschreibung: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM PCB

Hersteller: Sharp Microelectronics
vorrätig
RFQ
GP2M008A060PGH

GP2M008A060PGH

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
RFQ
GP2M010A060F

GP2M010A060F

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 10A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
RFQ
GP2M010A060H

GP2M010A060H

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 10A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
RFQ
GP2M013A050F

GP2M013A050F

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 13A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
RFQ
GP2M009A090NG

GP2M009A090NG

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 9A TO3PN

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
RFQ
GP2M023A050N

GP2M023A050N

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
RFQ
GP2S24

GP2S24

Beschreibung: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM DIP

Hersteller: Sharp Microelectronics
vorrätig
RFQ
GP2M008A060PG

GP2M008A060PG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
RFQ
GP2M011A090NG

GP2M011A090NG

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
RFQ
GP2M020A050H

GP2M020A050H

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 18A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
RFQ
GP2M012A060F

GP2M012A060F

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
RFQ
GP2M010A065H

GP2M010A065H

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
RFQ
GP2S24BCJ00F

GP2S24BCJ00F

Beschreibung: PHOTOINTERRUPTER TRANS OUT 4X3

Hersteller: Sharp Microelectronics
vorrätig
RFQ
GP2M020A050N

GP2M020A050N

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
RFQ
GP2M009A090FG

GP2M009A090FG

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 9A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
RFQ
GP2M020A060N

GP2M020A060N

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
RFQ
GP2M010A065F

GP2M010A065F

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
RFQ
GP2M020A050F

GP2M020A050F

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 18A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group
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