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1860006116LA90DB-Bild.IDT (Integrated Device Technology)

6116LA90DB

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    6116LA90DB
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    90ns
  • Spannungsversorgung
    4.5 V ~ 5.5 V
  • Technologie
    SRAM - Asynchronous
  • Supplier Device-Gehäuse
    24-CDIP
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    24-CDIP (0.600", 15.24mm)
  • Andere Namen
    6116LA90DB-ND
    800-3669
    IDT6116LA90DB
    IDT6116LA90DB-ND
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 125°C (TA)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    16Kb (2K x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    SRAM
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM - Asynchronous Memory IC 16Kb (2K x 8) Parallel 90ns 24-CDIP
  • Basisteilenummer
    IDT6116
  • Zugriffszeit
    90ns
6116LA70DB

6116LA70DB

Beschreibung: IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
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6116LA90TDB

6116LA90TDB

Beschreibung: IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP

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6116LA35DB

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6116LA70TDB

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6116LA45TDB

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6116SA120TDB

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Beschreibung: IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP

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6116SA15SOG8

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Beschreibung: IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC

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6116LA25TPG

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Beschreibung: IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
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6116LA35TDB

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Beschreibung: IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP

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6116SA15TPG

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Beschreibung: IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP

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6116SA15SOG

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6116SA150TDB

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Beschreibung: IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP

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6116SA150DB

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6116LA55DB

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6116LA55TDB

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6116SA20SOG

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6116LA25TDB

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6116SA120DB

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6116LA45DB

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6116SA20DB

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