70261L35PFI8

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Spezifikation

Artikelnummer

70261L35PFI8
Hersteller / Marke

IDT (Renesas Electronics Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC SRAM 256K PARALLEL 100TQFP
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

70261L35PFI8.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

35ns
Spannungsversorgung

4.5 V ~ 5.5 V
Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous
Supplier Device-Gehäuse

100-TQFP (14x14)
Serie

-
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

100-LQFP
Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

256Kb (16K x 16)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

SRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
detaillierte Beschreibung

SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 256Kb (16K x 16) Parallel 35ns 100-TQFP (14x14)
Zugriffszeit

35ns

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Das Folgende sind "70261L35PFI8" -Einziper.

70261L25PFI8

Beschreibung: IC SRAM 256K PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)

vorrätig

70261L35PFI8

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