70T631S10BF

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vorrätig

14+

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Spezifikation

Artikelnummer

70T631S10BF
Hersteller / Marke

IDT (Renesas Electronics Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

1.70T631S10BF.pdf
2.70T631S10BF.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

10ns
Spannungsversorgung

2.4 V ~ 2.6 V
Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous
Supplier Device-Gehäuse

208-CABGA (15x15)
Serie

-
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

208-LFBGA
Andere Namen

IDT70T631S10BF
IDT70T631S10BF-ND
Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

4.5Mb (256K x 18)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

SRAM
Hersteller Standard Vorlaufzeit

10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
detaillierte Beschreibung

SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 4.5Mb (256K x 18) Parallel 10ns 208-CABGA (15x15)
Basisteilenummer

IDT70T631
Zugriffszeit

10ns

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Das Folgende sind "70T631S10BF" -Einziper.

70T631S10BF8

Beschreibung: IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)

vorrätig

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