70T651S12BCI

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vorrätig

12+

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Spezifikation

Artikelnummer

70T651S12BCI
Hersteller / Marke

IDT (Renesas Electronics Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

70T651S12BCI.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

12ns
Spannungsversorgung

2.4 V ~ 2.6 V
Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous
Supplier Device-Gehäuse

256-CABGA (17x17)
Serie

-
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

256-LBGA
Andere Namen

IDT70T651S12BCI
IDT70T651S12BCI-ND
Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

4 (72 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

SRAM
Hersteller Standard Vorlaufzeit

10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
detaillierte Beschreibung

SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 9Mb (256K x 36) Parallel 12ns 256-CABGA (17x17)
Basisteilenummer

IDT70T651
Zugriffszeit

12ns

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Das Folgende sind "70T651S12BCI" -Einziper.

70T651S12BC8

Beschreibung: IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)

vorrätig

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