70V3379S4BF8

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Spezifikation

Artikelnummer

70V3379S4BF8
Hersteller / Marke

IDT (Renesas Electronics Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC SRAM 576K PARALLEL 208CABGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

70V3379S4BF8.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

-
Spannungsversorgung

3.15 V ~ 3.45 V
Technologie

SRAM - Dual Port, Synchronous
Supplier Device-Gehäuse

208-CABGA (15x15)
Serie

-
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

208-LFBGA
Andere Namen

IDT70V3379S4BF8
IDT70V3379S4BF8-ND
Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

576Kb (32K x 18)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

SRAM
Hersteller Standard Vorlaufzeit

10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
detaillierte Beschreibung

SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 576Kb (32K x 18) Parallel 4.2ns 208-CABGA (15x15)
Basisteilenummer

IDT70V3379
Zugriffszeit

4.2ns

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Das Folgende sind "70V3379S4BF8" -Einziper.

70V3379S5BC

Beschreibung: IC SRAM 576K PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)

vorrätig

70V3379S4BF8

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