70V3569S6DRI

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Spezifikation

Artikelnummer

70V3569S6DRI
Hersteller / Marke

IDT (Renesas Electronics Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC SRAM 576K PARALLEL 208PQFP
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

70V3569S6DRI.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

-
Spannungsversorgung

3.15 V ~ 3.45 V
Technologie

SRAM - Dual Port, Synchronous
Supplier Device-Gehäuse

208-PQFP (28x28)
Serie

-
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

208-BFQFP
Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

576Kb (16K x 36)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

SRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
detaillierte Beschreibung

SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 576Kb (16K x 36) Parallel 6ns 208-PQFP (28x28)
Zugriffszeit

6ns

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Zahlungsmittel

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Das Folgende sind "70V3569S6DRI" -Einziper.

70V3569S5DRI

Beschreibung: IC SRAM 576K PARALLEL 208PQFP

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)

vorrätig

70V3569S6DRI

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