70V3579S5BC8

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Spezifikation

Artikelnummer

70V3579S5BC8
Hersteller / Marke

IDT (Renesas Electronics Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

1.70V3579S5BC8.pdf
2.70V3579S5BC8.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

-
Spannungsversorgung

3.15 V ~ 3.45 V
Technologie

SRAM - Dual Port, Synchronous
Supplier Device-Gehäuse

256-CABGA (17x17)
Serie

-
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

256-LBGA
Andere Namen

IDT70V3579S5BC8
IDT70V3579S5BC8-ND
Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

4 (72 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

1.125Mb (32K x 36)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

SRAM
Hersteller Standard Vorlaufzeit

10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
detaillierte Beschreibung

SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 1.125Mb (32K x 36) Parallel 5ns 256-CABGA (17x17)
Basisteilenummer

IDT70V3579
Zugriffszeit

5ns

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Das Folgende sind "70V3579S5BC8" -Einziper.

70V3579S6BC

Beschreibung: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)

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