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Zuhause > Produkte > Integrierte schaltkreise (ICS) > Memory > 70V3579S5BCI

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70V3579S5BCI-Bild.

IDT (Integrated Device Technology)

70V3579S5BCI

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Spezifikation

Artikelnummer

70V3579S5BCI
Hersteller / Marke

IDT (Renesas Electronics Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

1.70V3579S5BCI.pdf
2.70V3579S5BCI.pdf
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

-
Spannungsversorgung

3.15 V ~ 3.45 V
Technologie

SRAM - Dual Port, Synchronous
Supplier Device-Gehäuse

256-CABGA (17x17)
Serie

-
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

256-LBGA
Andere Namen

IDT70V3579S5BCI
IDT70V3579S5BCI-ND
Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

4 (72 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

1.125Mb (32K x 36)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

SRAM
Hersteller Standard Vorlaufzeit

10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
detaillierte Beschreibung

SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 1.125Mb (32K x 36) Parallel 5ns 256-CABGA (17x17)
Basisteilenummer

IDT70V3579
Zugriffszeit

5ns

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Das Folgende sind "70V3579S5BCI" -Einziper.

70V3579S5BCGI

Beschreibung: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)

vorrätig

70V3579S5BFI8

Beschreibung: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)

vorrätig

70V3579S4BF

Beschreibung: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)

vorrätig

70V3579S4BF8

Beschreibung: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)

vorrätig

70V3579S5BC8

Beschreibung: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)

vorrätig

70V3579S4BCG

Beschreibung: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)

vorrätig

70V3579S4BC8

Beschreibung: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)

vorrätig

70V3579S4DRG

70V3579S4DRG

Beschreibung: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)

vorrätig

70V3579S4BFG

70V3579S4BFG

Beschreibung: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)

vorrätig

70V3579S6BC

Beschreibung: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)

vorrätig

70V3579S6BCI

70V3579S6BCI

Beschreibung: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)

vorrätig

70V3579S5BCI8

Beschreibung: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)

vorrätig

70V3579S5BC

Beschreibung: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)

vorrätig

70V3579S5DRI

Beschreibung: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)

vorrätig

70V3579S6BC8

Beschreibung: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)

vorrätig

70V3579S4DR

Beschreibung: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)

vorrätig

70V3579S5DR

Beschreibung: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)

vorrätig

70V3579S5BF8

Beschreibung: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)

vorrätig

70V3579S5BFI

Beschreibung: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)

vorrätig

70V3579S5BF

Beschreibung: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)

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